微纳加工实验室主要满足综合极端条件实验装置的用户及各系统测试所必须的微纳结构与器件的制备需求。实验室包含百级洁净区和千级洁净区，其中百级洁净区为黄光区，分为四个功能区域，可进行不同方式曝光、显影以及涂胶等工艺过程；千级洁净区分为八个功能区域，可进行各种材料的光刻、沉积、刻蚀等工艺过程及其微纳结构表征与物性测试。微纳加工实验室的主要工艺指标包括电子束光刻最小线宽为8 nm，紫外光刻最小线宽为0.5 μm，激光直写分辨率为600 nm，硅材料刻蚀最小线宽为30 nm，硅材料刻蚀最高深宽比为30:1，硅材料刻蚀侧壁倾斜角度在85°～92°可调。

主要功能	主要指标
电子束曝光	最小线宽为8 nm
紫外曝光	最小线宽为0.5 μm
激光直写	分辨率为600 nm
硅材料刻蚀	最小线宽30 nm，最高深宽比30:1，侧壁倾斜角度85°-92°可调

微纳加工实验室的仪器设备共有43台套：包括4台曝光设备、9台沉积设备、9台刻蚀设备、10台表征设备及11台辅助设备等。以下为各单元主要设备介绍：

1.光刻单元

光刻单元共计设备4台：高压电子束曝光机、电子束扫描/直写系统、激光直写系统、接触式光刻机。

（1）电子束光刻系统

电子束光刻通过直写方式，在基底上制备光刻胶图形，具有超高分辨率、纳米级精度及复杂图形等加工优势。

（2）激光直写和紫外光刻系统

激光直写系统和紫外光刻系统分别用于直写和掩模版制备微米及亚微米尺度的光刻胶图形，可用于各种功能材料的微米和亚微米结构与器件加工制备。

2.沉积单元

沉积单元共计设备9台：等离子体增强化学气相沉积系统、多腔室超高真空磁控溅射系统、多腔室超高真空电子束蒸发系统、热蒸发镀膜机、原子层沉积镀膜机、离子束溅射沉积系统、富氧电子束沉积系统、离子溅射仪、晶圆光刻预处理系统。

3.刻蚀单元

刻蚀单元共计设备9台：聚焦离子束刻蚀机、反应离子束刻蚀系统、电感耦合等离子刻蚀系统（2台）、反应离子刻蚀（2台）、氩离子束刻蚀机、微波等离子体刻蚀机、湿法刻蚀系统（2台)。

4.表征单元

表征单元共计设备10台：原子力显微镜、台阶仪、精密移动台、金相显微镜、数字显微镜、体视显微镜、薄膜应力仪、激光共聚焦显微镜、椭偏仪、白光干涉仪。

5.辅助单元

辅助单元共计设备11台：引线键合、激光划片机、砂轮切片机、快速退火炉、程控旋涂匀胶机（2台）、程控干胶仪（2台）、干燥样品柜（2台）、真空烘箱。